Администрация гарантирует обеспечение сохранности авторской или согласованной с авторами версии опубликованных в каталоге и на сайте материалов
Каталог A
Авторство и подтверждение авторских прав - регистрация идей, концепций, теорий, гипотез.
Связевая проводимость в полупроводниках
Прототип: модель свободных электронов и дырок в зонной теории полупроводников.
Природа проводимости полупроводников заключается в переносе электронов по ковалентным связям, которые образуются между атомами кристаллической решетки. Перенос электронов осуществляется:1) у собственных полупроводников по двухэлектронным связям между атомами решетки кристалла, 2) у акцепторных полупроводников по одноэлектронным связям между трехвалентными атомами примеси и атомами решетки, 3) у донорных полупроводников по трехэлектронным связям между пятивалентными атомами примеси и атомами решетки. Перенос электронов по связям осуществляется по прыжковому механизму в результате преодоления активационных барьеров, определяемых энергией ионизации электронов на ковалентных связях.
© Потапов Алексей Алексеевич, 2014
Реклама
Актуальные проекты
Меню раздела
Актуальная информация
Интелл-Защита
От администрации
Новости